2SJ598

2SJ598. C(in): 720pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: diodo di protezione integrato. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS a canale P. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 09:25.