2SD965

2SD965. Costo): 50pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Amplificatore di uscita AF. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 340. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.