Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK2662

2SK2662
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2SK2662. C(in): 780pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2662. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: High Speed Switching, Zener-Protected. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo (TT-MOS V). Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 15:25.

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C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1...
2SK2545
C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2545. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
2SK2545
C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2545. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
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STP5NK60ZFP
C(in): 690pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 485 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+ °C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì
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