Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK2605

2SK2605
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2SK2605. C(in): 1800pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 15:25.

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C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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