2SK2640
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 8.97€ | 10.94€ |
| 2 - 2 | 8.52€ | 10.39€ |
| 3 - 4 | 8.07€ | 9.85€ |
| 5 - 9 | 7.62€ | 9.30€ |
| 10 - 19 | 7.44€ | 9.08€ |
| 20 - 29 | 7.26€ | 8.86€ |
| 30+ | 6.99€ | 8.53€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 8.97€ | 10.94€ |
| 2 - 2 | 8.52€ | 10.39€ |
| 3 - 4 | 8.07€ | 9.85€ |
| 5 - 9 | 7.62€ | 9.30€ |
| 10 - 19 | 7.44€ | 9.08€ |
| 20 - 29 | 7.26€ | 8.86€ |
| 30+ | 6.99€ | 8.53€ |
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2SK2640. C(in): 950pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2640. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.73 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 15:25.
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C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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