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MBR10150CT

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MBR10150CT. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Prodotto originale del produttore Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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MBR10200CT

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MBR10200CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V
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MBR10100CT

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Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnic...
MBR10100CT
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DB107S

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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di di...
DB107S
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