Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MBR10150CT

MBR10150CT
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.61€ 1.96€
5 - 9 1.53€ 1.87€
10 - 24 1.45€ 1.77€
25 - 49 1.37€ 1.67€
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100 - 218 1.30€ 1.59€
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MBR10150CT. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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Esaurito
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Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corren...
MBR10200CT
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
MBR10200CT
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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Nota: Uf 0.98V. Nota: Ifsm--65App. Nota: Diodo a recupero ultra rapido...
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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
DB107S
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 32 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Cor...
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