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MBR10100CT

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MBR10100CT. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 100V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 07:25.

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Esaurito
MBR10200CT

MBR10200CT

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corren...
MBR10200CT
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
MBR10200CT
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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MBR20100CT-C0

MBR20100CT-C0

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzio...
MBR20100CT-C0
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
MBR20100CT-C0
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
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MBR10150CT

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Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corren...
MBR10150CT
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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SG6859ATZ

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Nota: PWM Controller for Flyback Convert. Marcatura sulla cassa: AAJF. Numero di terminali: 6. RoHS:...
SG6859ATZ
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AP9962GH

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AP9962GH
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AP9962GH
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Esaurito
ICE3BR1065JF

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Funzione: Cella di avvio (modalità jitter di frequenza) in FullPak . Marcatura sulla cassa: 3BR106...
ICE3BR1065JF
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7.64€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 103
FCPF11N60

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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massim...
FCPF11N60
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FCPF11N60
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3.25€ IVA incl.
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3.25€
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FDPF5N50T

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C(in): 480pF. Costo): 66pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola...
FDPF5N50T
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2.81€ IVA incl.
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SSS7N60A

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C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 4...
SSS7N60A
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SSS7N60A
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Quantità in magazzino : 19
STF11NM60ND

STF11NM60ND

C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): ...
STF11NM60ND
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STF11NM60ND
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5.12€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 9336
1N4937

1N4937

RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
1N4937
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1N4148

1N4148

Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Mate...
1N4148
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