Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MBR10100CT

MBR10100CT
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1 - 4 0.95€ 1.16€
5 - 9 0.90€ 1.10€
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1 - 4 0.95€ 1.16€
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MBR10100CT. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 22:25.

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MBR10200CT

MBR10200CT

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnic...
MBR10200CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
MBR10200CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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MBR20100CT-C0

MBR20100CT-C0

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
MBR20100CT-C0
Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
MBR20100CT-C0
Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
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MBR10150CT

MBR10150CT

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnic...
MBR10150CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
MBR10150CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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MBR10100CT
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MBR10100CT
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1.16€
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SG6859ATZ

SG6859ATZ

Nota: PWM Controller for Flyback Convert. Marcatura sulla cassa: AAJF. Numero di terminali: 6. RoHS:...
SG6859ATZ
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SG6859ATZ
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1.60€ IVA incl.
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AP9962GH

AP9962GH

Transistor a canale N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DP...
AP9962GH
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AP9962GH
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1.53€
Esaurito
ICE3BR1065JF

ICE3BR1065JF

Funzione: Cella di avvio (modalità jitter di frequenza) in FullPak . Marcatura sulla cassa: 3BR106...
ICE3BR1065JF
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ICE3BR1065JF
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7.64€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 85
FCPF11N60

FCPF11N60

Transistor a canale N, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. ...
FCPF11N60
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3.53€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 169
FDPF5N50T

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Transistor a canale N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25...
FDPF5N50T
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2.81€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 16
SSS7N60A

SSS7N60A

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (...
SSS7N60A
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2.04€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 17
STF11NM60ND

STF11NM60ND

Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. I...
STF11NM60ND
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STF11NM60ND
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5.12€ IVA incl.
(4.20€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 8708
1N4937

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Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
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Quantità in magazzino : 25577
1N4148

1N4148

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda ...
1N4148
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0.0459€ IVA incl.
(0.0376€ Iva esclusa)
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