Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MBR10100CT

MBR10100CT
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MBR10100CT. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Prodotto originale del produttore Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.

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MBR10200CT

MBR10200CT

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnic...
MBR10200CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V
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Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V
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MBR20100CT-C0

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Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
MBR20100CT-C0
Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V
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Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V
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MBR10150CT

MBR10150CT

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnic...
MBR10150CT
Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V
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Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V
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MBR10100CT
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MBR10100CT
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SG6859ATZ

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Nota: PWM Controller for Flyback Convert. Marcatura sulla cassa: AAJF. Numero di terminali: 6. RoHS:...
SG6859ATZ
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AP9962GH

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Transistor a canale N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DP...
AP9962GH
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Esaurito
ICE3BR1065JF

ICE3BR1065JF

Funzione: Cella di avvio (modalità jitter di frequenza) in FullPak . Nota: OFF-LINE, Rds(on) 1.0 O...
ICE3BR1065JF
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FCPF11N60

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Transistor a canale N, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=2...
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Transistor a canale N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25...
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SSS7N60A

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Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (...
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Quantità in magazzino : 17
STF11NM60ND

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Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. I...
STF11NM60ND
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Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
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Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda ...
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