2SK2647

2SK2647. C(in): 450pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3.19 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 15:25.