2SK2761

2SK2761. C(in): 1100pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 15:25.