Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK2625LS

2SK2625LS
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2SK2625LS. C(in): 700pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1mA. Marcatura sulla cassa: K2625. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 15:25.

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FQPF5N60C
C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 4...
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C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 415 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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