2SK2651

2SK2651. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1.78 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.