FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 41A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 4360pF. Costo): 895pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 280 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 164A. ID (min): 250uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: Power MOS 7 FREDFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 7400pF. Costo): 1000pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 620 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 176A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 450W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v

Transistor a canale N, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 48A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-343, 5V, 0.1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-343. Tensione drain-source Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: 5Fx. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 0.37V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.27W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N. Quantità per scatola: 1. Nota: TU

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V

Transistor a canale N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, AM/FM/VHF, 25V, 10mA, TO-92, 39V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): AM/FM/VHF. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 39V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF246A. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 14.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.6V

Transistor a canale N, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (massimo): 13mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: per amplificatori RF VHF/UHF. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 0.5V

Transistor a canale N, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (massimo): 18mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: per amplificatori RF VHF/UHF. ID (min): 11mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 0.5V

Transistor a canale N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 6.5mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 20*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.2V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 21*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V

Transistor a canale N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 22*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V

Transistor a canale N, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 18mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 18V. C(in): 3pF. Costo): 1.2pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. Protezione GS: sì. ID (min): 2mA. Marcatura sulla cassa: M90. Numero di terminali: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET

Transistor a canale N, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 4mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 2.3pF. Costo): 0.8pF. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 2mA. Nota: serigrafia/codice SMD MH. Marcatura sulla cassa: MH. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Transistor a canale N, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 12V. C(in): 2.1pF. Costo): 1.1pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. Protezione GS: NINCS. ID (min): 5mA. Marcatura sulla cassa: MOS. Numero di terminali: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-143B, 12V, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-143B. Tensione drain-source Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: BF998. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Capacità del gate Ciss [pF]: 2.5pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25V, 5mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M2. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 2A. Marcatura sulla cassa: BS107. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): 1. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS107A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 24pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1.2A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, 60V, 0.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS170G. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, 60V, 0.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS170_D27Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 24pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.83W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, Altro, Altro, 600V. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Numero di terminali: 24. Dimensioni: 107.5x45x17mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Spec info: 7x IGBT. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 250 ns. Td(acceso): 50 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V

Transistor a canale N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Voltaggio Vds(max): 50V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Nota: 5ns...20ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tecnologia: D-MOS Log.L