Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7309. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7309. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, 400V, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 400V. Alloggiamen...
Transistor a canale N, 400V, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 400V. Alloggiamento: TO220AB. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Serie: sì. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 5.5A. Tensione di azionamento: 10V. RDS su (max) @ id, vgs: 1 Ohms / 3A / 10V. Vgs (th) (max) @ id: 3. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): IRF730PBF. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Temperatura di funzionamento: 1 Ohms @ 3.3A. Tipo di montaggio: THT. Caratteristiche: 38 ns. Informazioni: 700pF. MSL: 74W
Transistor a canale N, 400V, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 400V. Alloggiamento: TO220AB. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Serie: sì. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 5.5A. Tensione di azionamento: 10V. RDS su (max) @ id, vgs: 1 Ohms / 3A / 10V. Vgs (th) (max) @ id: 3. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): IRF730PBF. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Temperatura di funzionamento: 1 Ohms @ 3.3A. Tipo di montaggio: THT. Caratteristiche: 38 ns. Informazioni: 700pF. MSL: 74W
Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantit...
Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET N. Equivalenti: IRF7313PBF. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET
Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET N. Equivalenti: IRF7313PBF. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET
Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Pd (dis...
Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 95. Quantità per scatola: 2. Funzione: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET
Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 95. Quantità per scatola: 2. Funzione: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB ...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7343. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12/22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7343. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12/22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Alloggiamento: saldatura PCB ...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7389. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650/710pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7389. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650/710pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 400V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 400V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF740SPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 400V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF740SPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C...
Transistor a canale N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1600pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 74 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 58A. ID (min): 12uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 8.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V
Transistor a canale N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1600pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 74 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 58A. ID (min): 12uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 8.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Al...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7821. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1010pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7821. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1010pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Allo...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7831. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.32V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4310pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7831. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.32V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4310pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C
Transistor a canale N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T...
Transistor a canale N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Costo): 92pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 8A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Costo): 92pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 8A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiament...
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF820PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF820PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID ...
Transistor a canale N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 610pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 320 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 610pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 320 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 500V, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 500V. Alloggiamen...
Transistor a canale N, 500V, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 500V. Alloggiamento: TO220AB. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 4.5A. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di montaggio: THT
Transistor a canale N, 500V, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 500V. Alloggiamento: TO220AB. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 4.5A. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di montaggio: THT
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB ...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840ASPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1018pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840ASPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1018pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 24A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Allo...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 24A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F8788. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.35V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5720pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 24A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F8788. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.35V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5720pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB ...
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9952. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9952. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 11A. ID (T...
Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2830pF. Costo): 3310pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V
Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2830pF. Costo): 3310pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V
Transistor a canale N, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 17A. ID (T...
Transistor a canale N, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1200pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 92A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: B23N15D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
Transistor a canale N, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1200pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 92A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: B23N15D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. I...
Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0021 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 44 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1080A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 118 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0021 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 44 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1080A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 118 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (...
Transistor a canale N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.082 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2370pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 124A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB32N20D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
Transistor a canale N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.082 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2370pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 124A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB32N20D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V
Transistor a canale N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID ...
Transistor a canale N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 840A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 840A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60....
Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: FB3207. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: FB3207. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=...
Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 800pF. Costo): 74pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V
Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 800pF. Costo): 74pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V