FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10U1B. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 1350pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 30Ap. Marcatura sulla cassa: K8A65D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v

Transistor a canale N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 0.3A. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 240V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Livello logico. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 58 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7150pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6435pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 47 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4456pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 107W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 35 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5022pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 107W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 56 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PDFN56. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 78 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6253pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 136W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 20V, -6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 0.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 562pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (massimo): 0.47A. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB10N07. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 900ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB14N04. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 120ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 500 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB35N07-E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNB49N04. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 600 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (massimo): 75uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 45V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 30uA. Nota: serigrafia/codice SMD 1NV04P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor a canale N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 70V. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 125 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Mosfet di potenza completamente autoprotetto. Protezione GS: diodo Zener. Id(imp): 14A. ID (min): 50uA. IGF: 50mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: Limitazione di corrente lineare. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 230 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor a canale N, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 70V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Mosfet di potenza completamente autoprotetto. ID (min): 50uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: OMNIFET. Dissipazione massima Ptot [W]: 83W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): MOSFET. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Voltaggio Vds(max): 70V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNP35N07. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 200 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 1000 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 100 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C. Utilizzato per: Ilim= 35A IR= -50A. Tensione in ingresso Vin (max): 18V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 70V, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VNP5N07-E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 31W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +135°C

Transistor a canale N, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 75uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 45V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 107ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 30uA. Nota: serigrafia/codice SMD S3NV04DP. Marcatura sulla cassa: S3NV04DP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 450 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 650V, 38A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 193 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2940pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 277W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVN3306F. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 35pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (massimo): 0.18A. Rds sulla resistenza attiva: 10 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Livello logico. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Transistor a canale N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 10A. ID (min): 0uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.5 ns. Td(acceso): 1.9 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V