FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 590pF. Costo): 63pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 12A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P4NK50Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 310pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Rds sulla resistenza attiva: 1.76 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener

Transistor a canale N, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener

Transistor a canale N, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener

Transistor a canale N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 3050pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 220A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NE06. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 200A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 220A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NF06L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40ms. Td(acceso): 20ms. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 1.7V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P5NK100Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1154pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 690pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 485 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+ °C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 910pF. Costo): 98pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 1.9 Ohms, 2.7A, 4.3A, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V, TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV, 800V. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 50uA. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Alloggiamento: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Tensione drain-source (Vds): 800V. Tipo di canale: N. Id(imp): 17.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P5NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 4.3A. Potenza: 110W. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1810pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 73ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. ID (min): 1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Costo): 360pF. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 60A, TO-220, TO-220, 60V, 1. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Custodia (standard JEDEC): 1. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P60NF06L. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 35 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Spec info: carica gate bassa, VGS(th) 1...2,5 V

Transistor a canale N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Ids: 0.01mA. Idss (massimo): 62A. Rds sulla resistenza attiva: 12.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 33V. C(in): 1330pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: completamente protetto. Id(imp): 248A. Marcatura sulla cassa: P62NS04Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 70us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 240A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P65NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 905pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 445 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0095 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 3700pF. Costo): 730pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 132 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P75NF75. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 66 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 6.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1138pF. Costo): 122pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Zener-Protected. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì