FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 800V, 5.2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P7NK80Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1138pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Alloggiamento: TO-220FP. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 800V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Id(imp): 20.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) min.: 3.75V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 5.2A. Numero di terminali: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 80A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P80NF10. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 116 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 120V. C(in): 4300pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 155 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF12. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: controllo motore, amplificatore audio. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0098 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 68V. C(in): 2550pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 392A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 80NF70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 700V. C(in): 2350pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 680 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 27A. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: PowerMESH™III MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMesh. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 910pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 238 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK50Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 910pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 238 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK50ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (min): 1us. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 600V, 7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P9NK60Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1100pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 13 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammopak. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 94pF. Costo): 17.6pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 135 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 1NK60ZR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione Zener, funzionalità ESD migliorata. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: N. Funzione: 2xN-CH 60V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Quantità per scatola: 2

Transistor a canale N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W10NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W10NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 800V, 9A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W10NK80Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 65 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 560 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità dv/dt estremamente elevata, applicazioni di commutazione. Id(imp): 33.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK100Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 98 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 1 kV, 8.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W11NK100Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 98 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 230W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.82 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 3000pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 584 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W11NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2620pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 635 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità ESD migliorata. Id(imp): 42A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W12NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza SuperMESH™ protetto da diodo zener. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì