FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 3500pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 964ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: capacità ESD migliorata. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W12NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 88 ns. Td(acceso): 31 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza SuperMESH™ protetto da diodo zener. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2030pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 40A. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W13NK60Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2000pF. Costo): 238pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 48A. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: W14NK50Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: 18NM80. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 30, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 30. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NM50FD. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1380pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 214W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1450pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W20NM60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.135 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1800pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 26NM60N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Spec info: Bassa capacità di ingresso e carica di gate. Peso: 4.51g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 1440pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Funzione: circuiti di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 28N65M2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 59 ns. Td(acceso): 13.4 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.62 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2400pF. Costo): 650pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMESH™ MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 136A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W34NB20. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Spec info: Alimentatori switching SMPS, convertitori DC-AC. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 30 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 4 v

Transistor a canale N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 35A. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Idm--140Ap(pulsed). Pd (dissipazione di potenza, massima): 255W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: MDmesh II

Transistor a canale N, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4300pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Bassa capacità di ingresso e carica di gate. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 140A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 43NM60ND. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 255W. RoHS: sì. Spec info: Bassa resistenza di ingresso del gate. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: MDmesh II. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 3800pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 508 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 180A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: W45NM60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 417W. RoHS: sì. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1250pF. Costo): 128pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 22.4A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.7 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 1154pF. Costo): 106pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 605 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: protetto con il diodo Zener. Protezione GS: sì. Id(imp): 14A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W5NK100Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 51.5 ns. Td(acceso): 22.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: protetto con il diodo Zener. Protezione GS: sì. Id(imp): 23.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W7NK90Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: W9NK90Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 15A. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 37W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 30 v, 75A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SUP75N03-04. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 190 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 10742pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 187W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 3535pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 41 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatore, convertitore CC/CC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. RoHS: sì. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: TrenchFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3FS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 430V. C(in): 5500pF. Costo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Varie: flash, controllo stroboscopio. Funzione: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diodo al germanio: soppressore. Corrente del collettore: 240A. Ic(impulso): 240A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 46 ns. Tecnologia: Enhancement type. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 33V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V

Transistor a canale N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: K20J50D. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS ad effetto di campo (MOSVII). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K6A60D. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 1050pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 470pF. Costo): 13pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 230 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: per regolatori di tensione in modalità switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 28A. Marcatura sulla cassa: TK7P60W. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.7V. Vgs(esimo) min.: 2.7V