FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 612 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P11NM80. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 5200pF. Costo): 785pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 152 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P120NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 132 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 550V. C(in): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P12NM50. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 550V. C(in): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P12NM50FP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 790pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 120V. C(in): 460pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 56A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P14NF12. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2000pF. Costo): 238pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P14NK50ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Protezione con diodo Zener. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 315pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P16NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 7 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Eccezionale capacità dv/dt, basso costo di gate. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 345pF. Costo): 72pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 5100pF. Costo): 1270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 200N4F3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione, applicazioni automobilistiche. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGHdv/dtCAP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: II Power Mos. Quantità per scatola: 1. Nota: Low Gate Charge

Transistor a canale N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P20NM60FD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 192W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Bassa capacità di gate. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1500pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P20NM60FP. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: MDmesh™ MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 870pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 100us. Tensione di soglia del diodo: 1.5V. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P24NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.135 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1800pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 26NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1180pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 110us. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 690pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P36NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 27 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Funzione: trr 65ns, efficiente dv/dt

Transistor a canale N, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 18A. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Quantità per scatola: 1. Funzione: trr 65ns, efficiente dv/dt

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 30A, 60.4k Ohms. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Custodia (standard JEDEC): 60.4k Ohms. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P36NF06L. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 660pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (massimo): 2.9A. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NB60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 440pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 3.5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PowerMESH III

Transistor a canale N, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V. Alloggiamento: TO-220FP. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Tensione drain-source (Vds): 600V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 2.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET

Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt molto elevato, per applicazioni di commutazione. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì