FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 870pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 48A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13N80K5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 790pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F5NK100Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1154pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 100mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.63 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 452pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 324 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: 9NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52.5 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 26A. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 610pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: variatore di luce, relè statico, driver del motore. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 100A. Marcatura sulla cassa: GF10NB60SD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 1.2 ns. Td(acceso): 0.7 ns. Tecnologia: PowerMESH IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.35V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Bassa caduta di tensione (VCE(sat)). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 380pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35 ns. Funzione: Comandi motore ad alta frequenza. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Marcatura sulla cassa: GP10NC60KD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 17 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Tempo di tenuta al cortocircuito 10us. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2200pF. Costo): 225pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 44 ns. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 150A. Marcatura sulla cassa: GW20NC60VD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 31 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Funzione: inverter ad alta frequenza, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2510pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35 ns. Data di produzione: 201509. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 135A. Marcatura sulla cassa: GW30NC120HD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 275 ns. Td(acceso): 29 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Funzione: capacità di corrente elevata, elevata impedenza di ingresso. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 4550pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Funzionamento ad alta frequenza fino a 50KHz. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 200A. Marcatura sulla cassa: GW40NC60V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 43 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1350pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: transistor MOSFET di potenza veloce. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: H8NA60FI. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento . Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.75V. Vgs(esimo) min.: 2.25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Viso 4000V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 150pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4NF20L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 10.4 ns. Td(acceso): 2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 80V. C(in): 5955pF. Costo): 244pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 38 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 400A. Marcatura sulla cassa: 100N8F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 176W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 103 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione con diodo Zener. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220FP, 800V, 9A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P10NK80ZFP. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 65 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 1250pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 42.8A. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Viso 2000VDC. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 400V, 9A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P11NK40Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 930pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 110W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS