FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 790pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 21.9A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220 (PG-TO220FP). Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 07N60C3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.9V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 60 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 790pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 32W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 24A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: 08N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: custodia isolata (2500 V CA, 1 min). Id(imp): 33A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 11N65C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool MOSâ„¢ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 560V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 16N50C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Eccezionale capacità dv/dt. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 32A. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 56A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: 56N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.4M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 4480pF. Costo): 1580pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 195 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento . Id(imp): 320A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N04H4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 560V. C(in): 750pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 22.8A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 08N50C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.093 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 215pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. Id(imp): 37A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: SPD09N05. Pd (dissipazione di potenza, massima): 24W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 790pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 32 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 112A. Marcatura sulla cassa: 28N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.6V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 06N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 750 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Data di produzione: 2015/05. Id(imp): 14.6A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 24A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: 08N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 10N10. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 426pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 33A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 11N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1460pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 650ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 22A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: 11N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 130 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Funzione: ID pulse 33A. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: SPP17N80C2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 62.1A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 67 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS