FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 62.1A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 67 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 650V. RoHS: sì. C(in): 3000pF. Costo): 1170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 20N60S5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 4.5V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 55V, 80A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N06L11. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 68 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 158W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: sì. Id(imp): 51A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 650V, 20.7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60C3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.9V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 208W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 415 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 28A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P1. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 3850pF. Costo): 650pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione, Automotive. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 120N4F6. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 550V. C(in): 940pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 340 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: B12NM50N. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 550V. C(in): 850pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 122 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: B12NM50ND. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: MOSFET di potenza FDmesh™ II (con diodo veloce). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 470pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D10NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.53 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 540pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10NM60N. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ). Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 790pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 75. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D3NK80Z. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2000. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D3NK80Z. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 3A. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 310pF. Costo): 49pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 12A. Marcatura sulla cassa: D4NK50Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 4A. Rds sulla resistenza attiva: 1.76 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 510pF. Costo): 47pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 16A. Marcatura sulla cassa: D4NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor a canale N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Voltaggio Vds(max): 525V. C(in): 545pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo, IDSS basso. Protezione GS: sì. Id(imp): 17.6A. ID (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: 5N52K3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: Enhancement type. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.25 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Voltaggio Vds(max): 525V. C(in): 529pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo. Protezione GS: sì. Id(imp): 17.6A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 5N52U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: Enhancement type. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.1 ns. Td(acceso): 11.4 ns. Tecnologia: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.84 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 363pF. Costo): 24.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 213 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 7NM60N. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 53A. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 460W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Isolamento elettrico: 2500V (AC-RMS). Td(acceso): 46 ns. Tecnologia: PowerMesh II MOSFET. Tf (tipo): 38 ns. Tr: 70 ns. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Voltaggio gate/source Vgs: ±30V

Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V