FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P4. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 235pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L6. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 305pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L8. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.66W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4410BDY. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (massimo): 13.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. Marcatura sulla cassa: 4420AP. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: D-S-MOSFET. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 12V. C(in): 12350pF. Costo): 2775pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 84 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Id(imp): 70A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.8W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 240 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 20uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 80V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 20uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 80V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4532ADY-T1-E3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.13W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4532CDY-T1-E3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.14W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4559EY. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 36/12ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0155 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4800B. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Quantità per scatola: 1. Funzione: MOSFET di potenza a commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0074 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 2000pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 840pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm a 4,7 A. Marcatura del produttore: SI4946BEY-T1-E3

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4946EY-T1-E3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 60 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): TO-263AB. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI9410BDY-E3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 4.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI9936BDY. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 550pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0075 Ohms. Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 985pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 14 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Interruttore lato alto". Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 196k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 90A, Altro, Altro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 5000pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta potenza. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Numero di terminali: 7. RoHS: sì. Td(spento): 450 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 330A, Altro, Altro, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 23.1pF. Costo): 1.9pF. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta potenza. Corrente del collettore: 470A. Ic(impulso): 600A. Dimensioni: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 650 ns. Td(acceso): 330 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1100pF. Costo): 107pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Funzione: S-IGBT veloce nella tecnologia NPT. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 179W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 445 ns. Td(acceso): 36ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. Diodo CE: sì

Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1150pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 280 ns. Funzione: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Corrente del collettore: 46A. Ic(impulso): 84A. Marcatura sulla cassa: K25N120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 313W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 730 ns. Td(acceso): 45 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Diodo CE: sì

Transistor a canale N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.041 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 8180pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 630 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt . Id(imp): 267A. ID (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: 6R041P6. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 481W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 29 ns. Tecnologia: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: N. Marcatura sulla cassa: TB. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.017...0.025 Ohms