FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 707pF. Costo): 224pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 20N6LG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N06LG. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 990pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.084 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Funzione: ID pulse 45A/10us. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 55094G

Transistor a canale N, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.122 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Funzione: ID pulse 27A/10us. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 3150G

Transistor a canale N, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.089 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Nota: 55L104G. Funzione: livello logico, ID impulso 45A/10us. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.089 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 316pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 9.2 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: livello logico, ID impulso 45A/10us. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 55L104G. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 55L104G. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.4M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4490pF. Costo): 952pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 34 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4804NG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 5.1A, 25uA, TSOP, TSOP-6, 20V, 0.036 Ohms. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Voltaggio Vds(max): 20V. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. C(in): 510pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 446. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Numero di terminali: 6. Funzione: applicazioni per batterie agli ioni di litio, PC notebook. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 3000. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 4416pF. Costo): 296pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 472A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 503W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 40 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 19V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Tecnologia: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Funzione: UPS, convertitore CC/CC, inverter Boost. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 53A. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 108A. Marcatura sulla cassa: 4744N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Funzione: ID pulse 108A/10ms. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4744N

Transistor a canale N, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (massimo): 191A. Rds sulla resistenza attiva: 1.3M Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 288A. Marcatura sulla cassa: 4833N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 114W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Funzione: ID pulse 288A/10ms. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4833N

Transistor a canale N, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 104A. Rds sulla resistenza attiva: 2.9m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 208A. Marcatura sulla cassa: 4835N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 63W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Funzione: ID pulse 208A/10ms. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4835N

Transistor a canale N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 790pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Miglioramento del livello logico. Id(imp): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.8 ns. Td(acceso): 2.2 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms. ID (T=25°C): 30A. Ids: 0.1uA. Idss (massimo): 30A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. C(in): 860pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. Ids: 50uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 (D2PAK). C(in): 2780pF. Costo): 641pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 34 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 15m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 150A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 75A. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 170A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 920pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor di potenza ad effetto di campo, Controllo del livello logico. Id(imp): 180A. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 86W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 45A. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 25V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor di potenza ad effetto di campo, Controllo del livello logico. Id(imp): 180A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 86W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 8.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS SOT78

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: PMV213SN. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.5 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 13.9m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK (SOT404). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3195pF. Costo): 221pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione standard. Id(imp): 272A. ID (min): 0.06uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52.5 ns. Td(acceso): 20.7 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 4900pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 240A. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 36A, 50A, 500uA, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V, 30 milliOhms. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaggio Vds(max): 150V. Rds sulla resistenza attiva: 30 milliOhms. C(in): 4720pF. Costo): 456pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 118 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 200A. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 79 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione GS: NINCS