FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: 60T65PES. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 535W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 142ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (massimo): 1.4A. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: 0505-111646. Nota: serigrafia/codice SMD QU. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD 5p.

Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 430 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 1650pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 355 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 48A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49.6W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 132 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 780pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 272 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 28nC, Crss basso 24pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 36A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1160pF. Costo): 134pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 360ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: MDF9N60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 31 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 6uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 62V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Elettronica per auto. Protezione GS: sì. ID (min): 0.6uA. Marcatura sulla cassa: L2N06CL. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: MOSFET HYBRID. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 5us. Td(acceso): 1us. Tecnologia: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MMBF170. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 40pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6K. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/codice SMD 61S. Marcatura sulla cassa: 61 S. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V

Transistor a canale N, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (massimo): 1mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Protezione GS: NINCS. ID (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Nota: serigrafia/codice SMD 62P. Marcatura sulla cassa: 62 P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2mA. RoHS: sì. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 40V

Transistor a canale N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 30mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: amplificatore, oscillatore e mixer VHF/UHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/codice SMD 6U. Marcatura sulla cassa: 6U. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12mA. RoHS: sì. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor a canale N, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 60mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: amplificatore, oscillatore e mixer VHF/UHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 24mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/codice SMD 6T. Marcatura sulla cassa: 6T. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25V, 60mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6T. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 890pF. Costo): 670pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 375 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Stadi di alimentazione PFC, applicazioni di commutazione, controllo motori, convertitori CC/CC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. Marcatura sulla cassa: 60R360P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: N-channel POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.22A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: JD. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 410pF. Costo): 114pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55.7 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 45A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Spec info: Transistor con controllo a livello logico. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AE, 100V, 45A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AE. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTW45N10E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-264, 100V, 100A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTY100N10E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 96 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 372 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 10640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor a canale N, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25A. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor a canale N, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 75A. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 2960pF. Costo): 1130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDS355AN_NL. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 195pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xV-MOS