FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. Idss (massimo): 2uA. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 9100pF. Costo): 2200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 480A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 1.5mA. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 7000pF. Costo): 2250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 380A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 7600pF. Costo): 2900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 400A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 senza foro di fissaggio), 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. Alloggiamento: PLUS247. Custodia (secondo scheda tecnica): PLUS-247 (TO247 senza foro di fissaggio). Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1500pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 130 ns. Funzione: HiPerFAST IGBT with Diode. Corrente del collettore: 48A. Ic(impulso): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2700pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 120ns. Funzione: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Diodo CE: sì

Transistor a canale N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1960pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 25 ns. Funzione: IGBT PT ad alta velocità per commutazione 40-100kHz. Corrente del collettore: 56A. Ic(impulso): 230A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 92 ns. Td(acceso): 19 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Spec info: Superficie posteriore isolata elettricamente. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 3900pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35ns. Funzione: C2-Class High Speed IGBT. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 300A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 18 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2113pF. Costo): 197pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: IGBT con diodo di recupero morbido ultraveloce. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 260A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 268W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 127 ns. Td(acceso): 43 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Nota: isolamento 2500 V (50/60 Hz RMS, t=1 minuto). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.092 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263AB ). Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHTTM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AD, 500V, 24A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXTH24N50. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AD, 1 kV, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXTH5N100A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 24m Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4800pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 160 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 92 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 4000pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.066 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2500pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 176W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: TrenchMVTM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2770pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. ID (min): 2uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: TrenchT2TM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12A, 24A, 200uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V, 270 milliOhms. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 200uA. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Rds sulla resistenza attiva: 270 milliOhms. C(in): 2890pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 480W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: PolarP2TM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 6300pF. Costo): 950pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 96 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Rds sulla resistenza attiva: 8 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 160pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. ID (min): 100mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 5 ns. Td(acceso): 6 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 0.7V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 30 Ohms, 35V. Rds sulla resistenza attiva: 30 Ohms. Voltaggio Vds(max): 35V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Funzione: Up 10V. ID (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3V. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (massimo): 5mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 Ammo-Pak. Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 28pF. Costo): 5pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Funzione: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Rds sulla resistenza attiva: 100 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 28pF. Costo): 5pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. ID (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 35V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: 60T65PES. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 535W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 142ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS