FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 530pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 6.9ns. Td(acceso): 7.4 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL2703. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 530pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL2703. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 530pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 55V, 3.8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL2705. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 35 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 20V, 1.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 2.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 110pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 740pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 20V, 3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 54 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 85pF. Costo): 34pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 540mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9 ns. Td(acceso): 3.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: B. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 85pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 85pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 5V. C(in): 480pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 72A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR024NPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 55V, DPAK. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Alloggiamento: DPAK. Serie di prodotti: HEXFET. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 17A. Voltaggio gate/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensione gate/source Vgs max: -16V. Max: 45W. Tipo di montaggio: SMD

Transistor a canale N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.185 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 440pF. Costo): 97pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 35A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR120NTRPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 75. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Azionamento del gate a livello logico, commutazione rapida. Spec info: bassa resistenza R-on 0,040 Ohm. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLR2905PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 110W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 11m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1570pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 240A. ID (min): 20uA. Equivalenti: IRLR2905ZTRPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3980pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 34-51 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR3110ZPbF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: ±16. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 800pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LR3410. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 97W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 21ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 360A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4380pF. Costo): 940pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2000. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 39 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: LR7843. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.3V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Funzione: RDS molto basso (acceso) a 4,5 V VGS, impedenza di gate ultra bassa. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.3m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1030pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 260A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9.4 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: Impedenza di gate ultrabassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS