FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L540NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 69W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 0.4 Ohms, TO-220, 200V. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 200V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 9A. Potenza: 74W

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 310 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 68A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 18A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD-220. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L640S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD-220. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L640S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 0.0038 Ohms, TO-220, 30V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0038 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 30V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 150A. Potenza: 140W

Transistor a canale N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 7660pF. Costo): 2150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 740A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 21 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 243A. ID (T=25°C): 343A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.4M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 10315pF. Costo): 1980pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 39 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Azionamento motore CC, commutazione di potenza ad alta velocità. Spec info: controllo del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1077pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 9 ns. Td(acceso): 9.1ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. Alloggiamento: SUPER-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPER220. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 7660pF. Costo): 2150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 740A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 21 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. ID (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.005 Ohms. Alloggiamento: SUPER-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPER220. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 720A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 270W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 14 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, SUPER-220, 30 v, 179A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SUPER-220. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLBA3803PPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 270W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 1.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 870pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Varie: Dynamic dv/dt Rating. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Commutazione rapida, gate drive a livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, DIP4, 60V, 2.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRLD024PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 740pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dell amplificatore ottimizzate per audio di classe D. Id(imp): 80A. ID (min): 2uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 5.7 ns. Tecnologia: Audio digitale HEXSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 93m Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 660pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 57 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dell amplificatore ottimizzate per audio di classe D. Protezione GS: diodo. Id(imp): 60A. ID (min): 2uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 9.5 ns. Tecnologia: Audio digitale HEXSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+170°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 55V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL014N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 14 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 230pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 55V, 3.1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL024. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 18 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 510pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C