FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL2203NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L2203NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L2203NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 104A. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L2505S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3700pF. Costo): 630pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 20V, 110A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL3502. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 96 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 20V, 110A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L3502S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 96 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3600pF. Costo): 870pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 94us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Azionamento del gate a livello logico, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 55V, 89A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL3705N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 37 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 170W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 3600pF

Transistor a canale N, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5890pF. Costo): 3130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1040A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Rd molto bassi. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. ID (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. Idss (massimo): 200A. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Resistenza in conduzione Rds-on molto bassa. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Tecnologia: SMPS MOSFET. Nota: UltraLow Gate

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 260A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L3713S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5890pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 170W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 470A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, TO-220AB, 30 v, 140A, 0.006 Ohms, 30V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 140A. Potenza: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 470A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 140A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L3803S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK/7, 40V, 360A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/7. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 7. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 67 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 222 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 19680pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 416W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 35A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Tecnologia: V-MOS TO220A

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L520N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 800pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL530NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 79W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 1.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L530NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 36A, 140W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Custodia (standard JEDEC): 140W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL540N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C