FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 50V, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ46NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1696pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1970pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 68 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 210A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, TO-220AB, 55V, 64A, saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Alloggiamento: saldatura PCB. Marcatura del produttore: IRFZ48NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1970pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3

Transistor a canale N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 175 ns. Td(acceso): 27 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.59V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V

Transistor a canale N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1100pF. Costo): 73pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: UltraFast CoPack IGBT. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Marcatura sulla cassa: IRG4BC30UD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 91 ns. Td(acceso): 40 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 980pF. Costo): 71pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Funzione: transistor MOSFET di potenza fino a 150 kHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Marcatura sulla cassa: IRG 4BC30W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 99 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 920pF. Costo): 110pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo Trr (min.): 42 ns. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 28A. Ic(impulso): 58A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: Transistor IGBT ultraveloce. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 60 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.21V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. ID (T=100°C): 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1100pF. Costo): 73pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: ULTRA FAST. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Marcatura sulla cassa: IRG4PC30UD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 91 ns. Td(acceso): 40 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. RoHS: sì. C(in): 2200pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: TO-247AC. Unità di condizionamento: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 49A. Ic(impulso): 84A. Marcatura sulla cassa: 230 ns. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 230 ns. Td(acceso): 63 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 42A. Ic(impulso): 84A. Marcatura sulla cassa: G4PC40K. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 42A. Ic(impulso): 84A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 53 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2100pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 160A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 34 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.72V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V

Transistor a canale N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1900pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 160A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 27 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 6050pF. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta velocità . Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 90A. Ic(impulso): 360A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 520W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 310 ns. Td(acceso): 42 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 1800pF. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 41A. Ic(impulso): 82A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 24 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.43V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.1V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2800pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 90A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 36ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.77V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1220V. C(in): 2800pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo Trr (min.): 90 ns. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 90A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 87 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.77V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 3600pF. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: IRG4PH50U. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 35 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.56V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 850pF. Costo): 75pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 92 ns. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 31A. Ic(impulso): 62A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 184 ns. Td(acceso): 34 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V

Transistor a canale N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 3025pF. Costo): 245pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 90A. Ic(impulso): 144A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 145 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v

Transistor a canale N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. C(in): 2250pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 25. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 70A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 112 ns. Td(acceso): 36ns. Temperatura di funzionamento: -40...+140°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.29V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.57V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L1004S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 6590pF. Costo): 1710pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 640A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V