FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida

Transistor a canale N, saldatura PCB, I-PAK, 60V, 14A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: I-PAK. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFU024NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 4.3A. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 17A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET

Transistor a canale N, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Costo): 92pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza di terza generazione. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-251AA, 500V, 2.4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251AA. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFU420PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-251AA, 200V, 24A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251AA. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFU4620PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25.4 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1710pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 144W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 68A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ24NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZ24NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 700pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 57 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 100A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 31 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 30A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ34NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 31 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0175 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ44NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1470pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 17.5m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZ44NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1470pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 94W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1812pF. Costo): 393pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.016 Ohms, TO-220AB, 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 60V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 55A. Potenza: 115W

Transistor a canale N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 50V, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ46NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1696pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1970pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 68 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, TO-220AB, 55V, 64A, 0.014 Ohms, 55V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 55V. Marcatura del produttore: IRFZ48NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1970pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 64A. Potenza: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Tipo di canale: N. Funzione: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 175 ns. Td(acceso): 27 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.59V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS