FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 600V, 11A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFPC50PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 88 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 64A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1900pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, ORION TV. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 22A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 800V, 5.4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFPE40PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 3100pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 31A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 4.7A, 4.7A, TO-247, TO-247AC, 900V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 4.7A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 900V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: <63/214ns. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS L

Transistor a canale N, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2900pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 27A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 900V, 6.7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFPF50PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 1000V. C(in): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 630 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v

Transistor a canale N, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Alloggiamento: 17.4k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPER247. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 5579pF. Costo): 810pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 144A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, 17.4k Ohms, 500V, 36A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 17.4k Ohms. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFPS37N50APBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5580pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 446W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR024N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR024N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 180pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 17A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR110PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.9ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1300pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 65 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 44A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR1205. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 47 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 107W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR1205N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 200V, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR220N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (massimo): 3.1A. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 400V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET

Transistor a canale N, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2030pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 280A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.2m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2330pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, impedenza di gate ultra bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 340A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V

Transistor a canale N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 640pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 60A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 6.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 27A. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 55V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET