FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 200V, 46A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP260PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 5400pF. Costo): 870pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: commutazione rapida, dv/dt dinamico. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4660pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 620 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.6m Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 13000pF. Costo): 2100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 470W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 75V, 90A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP2907PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 13000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 470W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 75V, 90A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP2907ZPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 97 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 310W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.1M Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. C(in): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 1080A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. RoHS: sì. Peso: 4.58g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 118 ns. Td(acceso): 16 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 2mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 5000pF. Costo): 553pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 124A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 460W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Id(imp): 840A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 150V, 43A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP3415PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 72 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 2600pF. Costo): 660pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 87 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza HEXFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 400V, 19A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP350PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 87 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 4500pF. Costo): 1100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 3400pF. Costo): 540pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 400V, 23A, 0.20 Ohms, TO-247AC HV, 400V. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-247AC HV. Tensione drain-source (Vds): 400V. Marcatura del produttore: IRFP360PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 23A. Potenza: 280W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3000pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 210 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 51A. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: FastSwitch. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 100V, 40A, 180W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Custodia (standard JEDEC): 180W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP3710PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 58 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.021 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 4560pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Peso: 5.8g. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.049 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 7370pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (min): 5uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 430W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.029 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 5860pF. Costo): 530pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Id(imp): 230A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 100V, 195A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP4468PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 52 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 19860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 520W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 540 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 56A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 92us. Td(acceso): 17us. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2200pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 580us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS