FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 51A. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: FastSwitch. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 100V, 40A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP3710PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 58 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.021 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 260A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 4560pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 180A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Peso: 5.8g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.049 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 7370pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 190A. ID (min): 5uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 430W. RoHS: sì. Spec info: Idm--190Ap.. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.029 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 5860pF. Costo): 530pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 230A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. RoHS: sì. Spec info: Idm--230Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 100V, 195A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP4468PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 52 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 19860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 520W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 540 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 56A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 92us. Td(acceso): 17us. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2200pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 580us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low Gate Charger. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 56A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 14A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP450LCPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 14A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP450PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 92 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0048 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 10470pF. Costo): 977pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 171A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 517W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 4200pF. Costo): 870pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. RoHS: sì. C(in): 3100pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3940pF. Costo): 152pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 437ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 62A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 278W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 117 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: D Series Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3600pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate ultra bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP460LCPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 500V, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP460PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Ids: 0.1mA. Idss (massimo): 130A. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 520A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 520W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Ids: 250uA. Idss (massimo): 72A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power-MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 300A. ID (min): 0.1uA. Nota: Alta frequenza. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Vgs(esimo) massimo: 5.5V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 100V, 72A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP4710PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 35 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 41 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1070pF. Costo): 6040pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 380A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 580W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 200V, 94A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP90N20DPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 580W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2700pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 88 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2100pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 25uA-. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V