FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 100V, 7.2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI520GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 37W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 100V, 9.7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI530GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 670pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 100V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI540GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 53 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 FULLPAK. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 110A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 54W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 800pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: IRFI630G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 9.4 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 200V, 5.9A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI630GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 32W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 200V, 9.8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI640GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 1100pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. ID (min): 25uA. Nota: Viso 2500V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 400V, 5.4A, 0.55 Ohms 40W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Custodia (standard JEDEC): 0.55 Ohms 40W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI740G. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 54 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohm 40W. Alloggiamento: TO-220-F. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Tensione drain-source (Vds): 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 4.6A. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 500V, 4.6A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI840GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 6A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 660pF. Costo): 86pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Switching. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 470ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, ITO-220AB, 900V, 1.9A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFIBF30GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 0.024 Ohms, 22A, 31A, 31A, TO-220FP, TO-220F, 55V. Rds sulla resistenza attiva: 0.024 Ohms. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 31A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 55V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 55V, 1.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL014N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 60V, 2.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FA. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 13 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 400pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 35 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 11.2A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRFL024NPBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 22.2 ns. Td(acceso): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 55V, 2.8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL024N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL110. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.9ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. ID (min): 25uA. Nota: serigrafia/codice SMD FC. Marcatura sulla cassa: FC. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 200V, 0.96A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FC. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 14 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 140pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 55V. RoHS: sì. C(in): 660pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 30A. ID (min): 25uA. IGF: 660pF. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL4310. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C