FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: FB3207. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 4520pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 31 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 620A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohm. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 4750pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 512A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 310A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. C(in): 3070pF. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 800pF. Costo): 74pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. Id(imp): 51A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Costo): 91pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 82 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. Id(imp): 52A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7.8 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 9620pF. Costo): 670pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 370W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 78 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Peso: 1.99g. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 74A, 104A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 0.0093 Ohms. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0093 Ohms. Costo): 490pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 86 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 380W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 41 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Peso: 1.99g. C(in): 5270pF. Id(imp): 420A. Funzione: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 19.7m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Id(imp): 260A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 4530pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Id(imp): 330A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 4560pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore audio in classe D 300W-500W (mezzo ponte). Id(imp): 180A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 3430pF. Costo): 530pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB42N20D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.072 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 4820pF. Costo): 340pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Id(imp): 390A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRFB4410ZPBF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.6M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 7670pF. Costo): 540pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Id(imp): 550A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRFB4310. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 74 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Id(imp): 300A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FB4710. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 75A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFB4710PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 35 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 41 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 2770pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB52N15D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza, Display al Plasma. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1750pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: per applicazioni di amplificatori audio in classe D. Id(imp): 140A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRFB5615PbF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 144W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 17.2ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1000A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.2V. C(in): 7330pF. Costo): 1095pF. Funzione: Applicazioni di azionamento di motori BLDC, circuiti alimentati a batteria, convertitori DC/DC e AC/DC. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.0015 Ohms, TO-220AB, 40V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0015 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 40V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 250A/195A. Potenza: 230W

Transistor a canale N, 0.002 Ohms, TO-220AB, 40V. Rds sulla resistenza attiva: 0.002 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 40V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 172A/120A. Potenza: 143W

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 4730pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 143W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 115 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.2V. Funzione: Applicazioni di azionamento di motori BLDC, circuiti alimentati a batteria, convertitori DC/DC e AC/DC. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0026 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 40V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 123A/120A. Potenza: 99W

Transistor a canale N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 530 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS