FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1600pF. Costo): 680pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 74 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 58A. ID (min): 12uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 8.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7413. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1210pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 95. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Impedenza di gate ultrabassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 8.7 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V

Transistor a canale N, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 3480pF. Costo): 870pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Protezione GS: sì. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 0.6V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7455. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3480pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 40V, 9.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7468. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuito integrato per convertitori DC-DC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 66A. ID (min): 30uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuito integrato per convertitori DC-DC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 66A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 6.3 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 770pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 31us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuito integrato per convertitori DC-DC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 88A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 10.8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7811. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1801pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7821. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1010pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 21A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7831. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.35V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 17 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6240pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7831. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.32V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4310pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C

Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 99 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Costo): 92pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 8A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF820PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 610pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 320 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 620 ns. Costo): 93 ns. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 430 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. ID (min): 25uA. Temperatura: +105°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 4.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF830PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 610pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1300pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840APBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1018pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840ASPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1018pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C