FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 500V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840SPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 760pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 12 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: sì. Id(imp): 88A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: IRF8707G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7.3 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 24A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F8788. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.35V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5720pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9952. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9952Q. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.52 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1423pF. Costo): 208pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa 52nC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2830pF. Costo): 3310pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2870pF. Costo): 3480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 80A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1200pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 92A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: B23N15D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4220pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 220A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB260N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 380W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0021 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 44 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1080A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 118 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0028 Ohm. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 9400pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 850A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 370W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 69 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 840A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: FB3207. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 4520pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 31 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 620A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohm. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 4750pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 512A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 3070pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 310A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 800pF. Costo): 74pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 51A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Costo): 91pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 82 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7.8 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 9620pF. Costo): 670pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 670A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 370W. RoHS: sì. Peso: 1.99g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 78 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0093 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 5270pF. Costo): 490pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 86 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 420A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 380W. RoHS: sì. Peso: 1.99g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 41 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 19.7m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 260A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 4530pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 330A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V