FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Custodia (standard JEDEC): 1. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP044N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET

Transistor a canale N, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 2400pF. Costo): 1300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1900pF. Costo): 620pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 94 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 210A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 4500pF. Costo): 2000pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.012 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 81 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 290A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 4000pF. Costo): 1300pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 390A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Custodia (standard JEDEC): 150W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP064NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 60V, 70A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP064PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 21 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.077 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1700pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 25uA. Nota: transistor complementare (coppia) IRFP9140. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 180W. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0042 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5600pF. Costo): 1310pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 310W. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 31A. Rds sulla resistenza attiva: 0.51 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 131W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET

Transistor a canale N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 2800pF. Costo): 1100pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: IRFP150. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.36 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1900pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 140A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 100V, 42A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP150NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 100V, 42A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP150PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 60 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3450pF. Costo): 513pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 277W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 80A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Peso: 4.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: transistor complementare (coppia) IRFP9240. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, TO-247AC, 200V, 20A, 200V. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Tensione drain-source (Vds): 200V. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP240PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 20A. Potenza: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2159pF. Costo): 315pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 186 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, TO-247AC, 200V, 30A, 0.075 Ohms, 200V. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 200V. Marcatura del produttore: IRFP250NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 41 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2159pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 214W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 30A. Potenza: 214W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 200V, 30A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP250PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 250V, 23A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP254PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 74 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4057pF. Costo): 603pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 268 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Id(imp): 200A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Peso: 5.57g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247, 200V, 50A, 280W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Custodia (standard JEDEC): 280W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP260NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4057pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C