FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 4m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2150pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (min): 1uA. Equivalenti: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: Impedenza di gate ultrabassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4880pF. Costo): 950pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 18 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 640A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 135W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 55V, IPAK. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Alloggiamento: IPAK. Serie di prodotti: HEXFET. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 17A. Voltaggio gate/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensione gate/source Vgs max: -16V. Max: 45W. Tipo di montaggio: SMD

Transistor a canale N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 480pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 55V, 18A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLZ24NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 480pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 110A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 55V, 30A, 30A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Custodia (standard JEDEC): 30A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLZ34NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 880pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.022 Ohms, TO-220AB, 55V. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 55V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 41A. Potenza: 83W

Transistor a canale N, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 390V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diodo al germanio: soppressore. Corrente del collettore: 46A. Marcatura sulla cassa: V5036P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10.8 ns. Td(acceso): 7 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 10V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Diodo CE: NINCS

Transistor a canale N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AD, 800V, 13A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH13N80. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 63 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AD, 500V, 26A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH26N50. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 65 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 5700pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (min): 200uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AD, 200V, 58A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH58N20. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-264AA, 300V, 140A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Tensione drain-source Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK140N30P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 14000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1040W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 2mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (min): 400uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1.5mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 800V. RoHS: sì. C(in): 12pF. Costo): 910pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Custodia (standard JEDEC): 25. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 500V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N50. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-264AA, 600V, 48A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N60P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 85 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 830W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 500V. RoHS: sì. C(in): 7900pF. Costo): 790pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-264AA, 600V, 64A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK64N60P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 79 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 12000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1040W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Alloggiamento: SOT-227B (ISOTOP). Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GigaMOS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 48 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 41000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 940W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C