FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 21.9A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N65C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2930pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 2N03L04. Pd (dissipazione di potenza, massima): 188W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-251AA, 50V, 14A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251AA. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFD14N05L. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 670pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D-PAK, 50V, 14A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F14N05. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 670pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 850pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. Marcatura sulla cassa: F3055L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Quantità per scatola: 1. Funzione: controllo del livello logico, protezione ESD

Transistor a canale N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 900pF. Costo): 325pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F12N10L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MegaFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 53W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 11A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP3055LE. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Custodia (standard JEDEC): 50. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP50N06. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 37 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2020pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 131W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 60V, 70A, TO-220, TO-220, 60V, 50. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Custodia (standard JEDEC): 50. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP70N06. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Modello PSPICE® con compensazione della temperatura

Transistor a canale N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 330V. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 23 ns. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 20 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 330V. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 23 ns. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 20 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sì

Transistor a canale N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. C(in): 1200pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 23 ns. Compatibilità: Samsung PS42C450B1WXXU. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.06 ns. Td(acceso): 0.02 ns. Tecnologia: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30

Transistor a canale N, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 40A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor MOSFET a canale N. Quantità per scatola: 1. Funzione: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

Transistor a canale N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 360V. C(in): 85pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 250A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 40 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. Idss (massimo): 115mA. Rds sulla resistenza attiva: 7.5 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 25pF. Costo): 10pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interfaccia e commutazione. Id(imp): 0.8A. Marcatura sulla cassa: RKM. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Silicon N-channel MOSFET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 2.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.074 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TSMT3. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N-Ch MOS FET. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD QY. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC

Transistor a canale N, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 45V. C(in): 1830pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Marcatura sulla cassa: TB. Numero di terminali: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MOSFET N canali con azionamento da 4 V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC, inverter. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.0125 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: MOSFET N canali con azionamento da 4 V. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 20A, 20A, TO-247, TO-247. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Funzione: Transistor MOSFET N. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1970pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: IGBT ad alta velocità. Corrente del collettore: 48A. Ic(impulso): 90A. Marcatura sulla cassa: G30N60RUFD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 235W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 30 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 550pF. Costo): 62pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Marcatura sulla cassa: G10N60A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 92W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 178 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: IGBT veloce in tecnologia NPT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Funzione: Comandi motore, inverter. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. RoHS: sì. C(in): 1250pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 3. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 52A. Marcatura sulla cassa: G15N120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 198W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 580 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: IGBT veloce in tecnologia NPT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Funzione: Controlli motore, inverter, SMPS. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale N, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. RoHS: sì. C(in): 1600pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 3. Corrente del collettore: 41A. Ic(impulso): 112A. Marcatura sulla cassa: G30N60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 291 ns. Td(acceso): 44 ns. Tecnologia: IGBT veloce in tecnologia NPT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Funzione: Comandi motore, inverter. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS