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Semiconduttori Transistor
FET e MOSFET a canale N

FET e MOSFET a canale N

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IRF1404SPBF

IRF1404SPBF

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Alloggiamento: saldatura PCB...
IRF1404SPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F1404S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 72 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IRF1404SPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F1404S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 72 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
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8.36€ IVA incl.
(6.85€ Iva esclusa)
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IRF2807

IRF2807

Transistor a canale N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=2...
IRF2807
Transistor a canale N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 3850pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 280A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF2807
Transistor a canale N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 3850pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 280A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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2.31€ IVA incl.
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IRF2903ZS

IRF2903ZS

Transistor a canale N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (...
IRF2903ZS
Transistor a canale N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1020A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF2903ZS
Transistor a canale N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1020A. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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5.75€ IVA incl.
(4.71€ Iva esclusa)
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IRF3315

IRF3315

Transistor a canale N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T...
IRF3315
Transistor a canale N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 174 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 108A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF3315
Transistor a canale N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 174 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 108A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
Set da 1
2.10€ IVA incl.
(1.72€ Iva esclusa)
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IRF3415PBF

IRF3415PBF

Transistor a canale N, 150V, 0.042 Ohms, TO-220. Tensione drain-source (Vds): 150V. Rds sulla resist...
IRF3415PBF
Transistor a canale N, 150V, 0.042 Ohms, TO-220. Tensione drain-source (Vds): 150V. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 43A. Potenza: 130W
IRF3415PBF
Transistor a canale N, 150V, 0.042 Ohms, TO-220. Tensione drain-source (Vds): 150V. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 43A. Potenza: 130W
Set da 1
5.12€ IVA incl.
(4.20€ Iva esclusa)
5.12€
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IRF3710SPBF

IRF3710SPBF

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Alloggiamento: saldatura PCB...
IRF3710SPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F3710S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3130pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IRF3710SPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F3710S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3130pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
Set da 1
4.87€ IVA incl.
(3.99€ Iva esclusa)
4.87€
Esaurito
IRF450

IRF450

Transistor a canale N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=1...
IRF450
Transistor a canale N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204A ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2700pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Repetitive Avalanche Ratings. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 48A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF450
Transistor a canale N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204A ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2700pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Repetitive Avalanche Ratings. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 48A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
Set da 1
28.26€ IVA incl.
(23.16€ Iva esclusa)
28.26€
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IRF510PBF

IRF510PBF

Transistor a canale N, TO220AB, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorg...
IRF510PBF
Transistor a canale N, TO220AB, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Tipo di montaggio: THT. Serie: IRF. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 5.6A. Tensione di azionamento: 10V
IRF510PBF
Transistor a canale N, TO220AB, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Tipo di montaggio: THT. Serie: IRF. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 5.6A. Tensione di azionamento: 10V
Set da 1
1.40€ IVA incl.
(1.15€ Iva esclusa)
1.40€
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IRF520

IRF520

Transistor a canale N, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (...
IRF520
Transistor a canale N, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 360pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Carica di input bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 37A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF520
Transistor a canale N, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 360pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Carica di input bassa. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 37A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Set da 1
1.29€ IVA incl.
(1.06€ Iva esclusa)
1.29€
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IRF520NPBF

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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 9.7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiame...
IRF520NPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 9.7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF520NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IRF520NPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 9.7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF520NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
Set da 1
2.78€ IVA incl.
(2.28€ Iva esclusa)
2.78€
Quantità in magazzino : 245
IRF540NPBF

IRF540NPBF

Transistor a canale N, TO220AB, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorg...
IRF540NPBF
Transistor a canale N, TO220AB, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Tipo di montaggio: THT. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 33A. Tensione di azionamento: 10V
IRF540NPBF
Transistor a canale N, TO220AB, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Tipo di montaggio: THT. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 33A. Tensione di azionamento: 10V
Set da 1
1.13€ IVA incl.
(0.93€ Iva esclusa)
1.13€
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IRF540NPBF-IR

IRF540NPBF-IR

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 33A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamen...
IRF540NPBF-IR
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 33A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF540N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IRF540NPBF-IR
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 100V, 33A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF540N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
Set da 1
3.34€ IVA incl.
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IRF540NS

IRF540NS

Transistor a canale N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=...
IRF540NS
Transistor a canale N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 110A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRF540NSPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF540NS
Transistor a canale N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 110A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRF540NSPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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1.68€ IVA incl.
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IRF540NSTRLPBF

IRF540NSTRLPBF

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Alloggiamento: saldatura PCB...
IRF540NSTRLPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F540NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IRF540NSTRLPBF
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F540NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
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4.17€ IVA incl.
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IRF610

IRF610

Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID ...
IRF610
Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 10A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF610
Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 10A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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IRF610PBF

IRF610PBF

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 200V, 3.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiame...
IRF610PBF
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 200V, 3.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF610PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 11 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 140pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IRF610PBF
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 200V, 3.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF610PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 11 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 140pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
1.81€ IVA incl.
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1.81€
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IRF634

IRF634

Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID...
IRF634
Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 770pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 4.2 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF634
Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 770pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 4.2 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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IRF640

IRF640

Transistor a canale N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T...
IRF640
Transistor a canale N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 72A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF640
Transistor a canale N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 72A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
Set da 1
1.74€ IVA incl.
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1.74€
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IRF640N

IRF640N

Transistor a canale N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T...
IRF640N
Transistor a canale N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 167 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 72A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF640N
Transistor a canale N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 167 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 72A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Set da 1
1.57€ IVA incl.
(1.29€ Iva esclusa)
1.57€
Quantità in magazzino : 327
IRF640NPBF

IRF640NPBF

Transistor a canale N, 200V, TO220. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 200V. Alloggiamento...
IRF640NPBF
Transistor a canale N, 200V, TO220. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 200V. Alloggiamento: TO220. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 18A. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di montaggio: THT
IRF640NPBF
Transistor a canale N, 200V, TO220. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 200V. Alloggiamento: TO220. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 18A. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di montaggio: THT
Set da 1
1.67€ IVA incl.
(1.37€ Iva esclusa)
1.67€
Quantità in magazzino : 150
IRF644

IRF644

Transistor a canale N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID ...
IRF644
Transistor a canale N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 1300pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 56A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRF644
Transistor a canale N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 1300pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 56A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Set da 1
2.43€ IVA incl.
(1.99€ Iva esclusa)
2.43€
Quantità in magazzino : 21
IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF

Transistor a canale N, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. ...
IRF6645TRPBF
Transistor a canale N, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 5.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Nota: isometrico. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Tecnologia: DirectFET POWER MOSFET
IRF6645TRPBF
Transistor a canale N, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 5.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Nota: isometrico. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Tecnologia: DirectFET POWER MOSFET
Set da 1
4.04€ IVA incl.
(3.31€ Iva esclusa)
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IRF7201PBF

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Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). All...
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Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7201. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 550pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7201. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 550pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 400V, 3.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiame...
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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 400V, 3.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF720PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 410pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 400V, 3.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF720PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 410pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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Transistor a canale N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Id...
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Transistor a canale N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 2. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: 0.05R. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&N-HEXFET Power MOSFETFET
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