Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.42€ | 4.17€ |
5 - 9 | 3.25€ | 3.97€ |
10 - 24 | 3.15€ | 3.84€ |
25 - 49 | 3.08€ | 3.76€ |
50 - 99 | 3.01€ | 3.67€ |
100 - 249 | 2.91€ | 3.55€ |
250 - 800 | 2.81€ | 3.43€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.42€ | 4.17€ |
5 - 9 | 3.25€ | 3.97€ |
10 - 24 | 3.15€ | 3.84€ |
25 - 49 | 3.08€ | 3.76€ |
50 - 99 | 3.01€ | 3.67€ |
100 - 249 | 2.91€ | 3.55€ |
250 - 800 | 2.81€ | 3.43€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A - IRF540NSTRLPBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F540NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Prodotto originale del produttore Infineon. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 22:25.
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