Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 6.85€ | 8.36€ |
2 - 2 | 6.51€ | 7.94€ |
3 - 4 | 6.17€ | 7.53€ |
5 - 9 | 5.82€ | 7.10€ |
10 - 19 | 5.69€ | 6.94€ |
20 - 29 | 5.55€ | 6.77€ |
30 - 276 | 5.34€ | 6.51€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.85€ | 8.36€ |
2 - 2 | 6.51€ | 7.94€ |
3 - 4 | 6.17€ | 7.53€ |
5 - 9 | 5.82€ | 7.10€ |
10 - 19 | 5.69€ | 6.94€ |
20 - 29 | 5.55€ | 6.77€ |
30 - 276 | 5.34€ | 6.51€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A - IRF1404SPBF. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F1404S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 72 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7360pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 19:25.
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