Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF610

Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF610. Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 10A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.