Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.90€ | 1.10€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.05€ |
10 - 24 | 0.81€ | 0.99€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.94€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.92€ |
100 - 249 | 0.73€ | 0.89€ |
250 - 1955 | 0.69€ | 0.84€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.90€ | 1.10€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.05€ |
10 - 24 | 0.81€ | 0.99€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.94€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.92€ |
100 - 249 | 0.73€ | 0.89€ |
250 - 1955 | 0.69€ | 0.84€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W - IRF640NPBF. Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Custodia (standard JEDEC): 150W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF640NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.
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