FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.87 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 950pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Temperatura di funzionamento: -...+150°. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO–220FM. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 740pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 1.05 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2150pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Convertitore DC-DC, relè e azionamento motore. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 790pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 160pF. Costo): 85pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. Marcatura sulla cassa: KE. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MOS FET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD KE. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 550pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.3us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: MOSFET di commutazione POWER, uso industriale. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS-V. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Regolatore della modalità di commutazione, convertitore DC-DC, driver del motore. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F-3L. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 650pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 2us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. ID (min): 0.1uA. Equivalenti: FS5KM-10-AW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 7A. Rds sulla resistenza attiva: 1.62 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET. Quantità per scatola: 1. Funzione: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

Transistor a canale N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0.75us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. ID (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ID (T=25°C): 21A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio Vds(max): 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C(in): 2280pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0.7us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 84A. ID (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.46 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 740pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 2.3 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 28A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 32A. Marcatura sulla cassa: K3561. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 550pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: K3563. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 9A. Marcatura sulla cassa: K3564. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 125 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 15A. Marcatura sulla cassa: K3565. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 470pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 720 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 7.5A. Marcatura sulla cassa: K3566. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Ids: 100mA. Idss (massimo): 3.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 14A. Marcatura sulla cassa: K3567. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 48A. Marcatura sulla cassa: K3568. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-67, 2-10U1B. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. Marcatura sulla cassa: K3569. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Peso: 1.7g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 50 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Ids: 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 125 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 30A. Marcatura sulla cassa: K3667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1100pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 3.2us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3679. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.31 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 430pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14.8A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3699. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS