FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SSFP. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 7pF. Costo): 5.9pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Protezione GS: sì. Id(imp): 0.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.3V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V

Transistor a canale N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. Protezione GS: NINCS. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08P20V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 14V

Transistor a canale N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 5.7A. Rds sulla resistenza attiva: 22m Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 630pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16.8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 25A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21.5 ns. Td(acceso): 3.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Voltaggio gate/source Vgs: 12V

Transistor a canale N, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 23.4m Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 621pF. Costo): 118pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 30A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15.1 ns. Td(acceso): 4.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 4.1A. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 520pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Voltaggio gate/source Vgs: 20V

Transistor a canale N, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 18M Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 1160pF. Costo): 187pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17.7 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Carica di input bassa. Protezione GS: sì. Id(imp): 30A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Spec info: Protezione ESD. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51.7 ns. Td(acceso): 6.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V

Transistor a canale N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (massimo): 20mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0098 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1980pF. Costo): 317pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 11.2 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: FET in SMPS, commutazione del carico. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 60A. ID (min): 0.02mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 27 ns. Td(acceso): 5.5 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 2.3V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 20mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0058 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2154pF. Costo): 474pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 12 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 180A. ID (min): 0.1mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25.2 ns. Td(acceso): 6.8 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.3V

Transistor a canale N, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 46m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 27.5us. Funzione: Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 4.7V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 47m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 450pF. Costo): 61pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 27.6 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 30A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 4.2 ns. Tecnologia: "La più recente tecnologia Trench Power MOSFET". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 951pF. Costo): 373pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 10.2 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 96A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: RDS molto basso (attivato) a 10 VGS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 18.5 ns. Td(acceso): 6.25 ns. Tecnologia: "La più recente tecnologia Trench Power MOSFET". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.8V

Transistor a canale N, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 273pF. Costo): 16pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 172ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 15A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 17 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.71 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 962pF. Costo): 98pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 332ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 27A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 24 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.3V

Transistor a canale N, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 2850pF. Costo): 258pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 19 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 170A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9m Ohms. Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 3430pF. Costo): 1327pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 340A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 33.8 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: "L ultima tecnologia Trench Power AlphaMOS". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 95A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03 GP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 95A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03 GP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 mS. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 95A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03GS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Ids: 10uA. Idss (massimo): 10.4A. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 450pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. Marcatura sulla cassa: 4800C G M. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata"

Transistor a canale N, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 48m Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. C(in): 8440pF. Costo): 1775pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 160A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 88N30W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 90A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 9971GH. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220CFM. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NO. Id(imp): 80A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.050R (50m Ohms). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 2. Funzione: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns. Id(imp): 28A. Marcatura sulla cassa: 9971GM. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Voltaggio gate/source Vgs: 20V

Transistor a canale N, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 1685pF. Costo): 210pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 55ms. Funzione: Alimentatori switching ad alta frequenza. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 56A. Ic(impulso): 65A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: POWER MOS 7® IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V

Transistor a canale N, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 41A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 4360pF. Costo): 895pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 280 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 164A. ID (min): 250uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: Power MOS 7 FREDFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V