FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series

Transistor a canale N, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 6A. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Voltaggio Vds(max): 700V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Nota: 70/160ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tecnologia: V-MOS (F)

Transistor a canale N, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3600pF. Costo): 700pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 100A. Marcatura sulla cassa: K2372. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 7.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.42 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo

Transistor a canale N, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 3mA. Idss (massimo): 14mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Funzione: transistor complementare (coppia) 2SJ103. ID (min): 6mA. Marcatura sulla cassa: K246BL. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Voltaggio gate/source Vgs: -30V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 6V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.7V

Transistor a canale N, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 63 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Yfs--8-16S. Protezione GS: sì. Id(imp): 75A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2507. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (L2-TT-MOSV). Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 4A, 8A, 8A, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MOS (TT.MOSV)

Transistor a canale N, 9A, 9A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII)

Transistor a canale N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 700pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 16A. Marcatura sulla cassa: K2625. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 1mV. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI-LS. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 550pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Diodo al germanio: NINCS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 5.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.73 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 950pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2640. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.19 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 450pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Id(imp): 16A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 780pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed Switching, Zener-Protected. Protezione GS: sì. Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: K2662. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo (TT-MOS V). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): na. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 10A. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 750pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì. Id(imp): 9A. Marcatura sulla cassa: K2700. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì. Id(imp): 15A. Marcatura sulla cassa: K2717. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 28m Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 830pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Protezione GS: sì. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: Transistor di potenza ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protezione GS: sì. Id(imp): 14A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K2750. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1100pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 36A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Protezione GS: sì. Id(imp): 40A. ID (min): na. Marcatura sulla cassa: K2843. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 58 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.87 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 950pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Temperatura di funzionamento: -...+150°. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO–220FM. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 740pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Protezione GS: sì. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 1.05 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2150pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore DC-DC, relè e azionamento motore. Protezione GS: sì. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 160pF. Costo): 85pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: sì. Id(imp): 8A. Nota: serigrafia/codice SMD KE. Marcatura sulla cassa: KE. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MOS FET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.8V