FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS II.5. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 5.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Voltaggio Vds(max): 400V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC-CC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 250V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K1393. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 150 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 675pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale N, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 3.6A. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 2.8 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3BP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 700pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. Marcatura sulla cassa: K1461. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: V-MOS, S-L. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, saldatura PCB, 21F1B, 1 kV, 12A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 21F1B. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SK1489. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 140 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 500 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K1507. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 180V. C(in): 700pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazione dell amplificatore ad alta potenza. Marcatura sulla cassa: K1529. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MOS a canale N in silicio a effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.8V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SJ200. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series

Transistor a canale N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 690pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alta velocità. Id(imp): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Marcatura sulla cassa: K2043. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. ID (T=25°C): 20mA. Idss (massimo): 12mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 4pF. Costo): 4pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: Applicazioni del sintonizzatore FM. ID (min): 0.6mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.5V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7A, 8A, 8A, 0.4 Ohms, 200V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 6A. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor MOSFET

Transistor a canale N, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS-L

Transistor a canale N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series

Transistor a canale N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series

Transistor a canale N, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1100pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 155 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Elettronica per auto. Id(imp): 108A. Marcatura sulla cassa: K2314. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140us. Td(acceso): 30us. Tecnologia: Transistore ad effetto di campo di potenza. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 6A. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Voltaggio Vds(max): 700V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tecnologia: V-MOS (F). Nota: 70/160ns. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Costo): 700pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Marcatura sulla cassa: K2372. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. C(in): 3600pF. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 7.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.42 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale N, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 3mA. Idss (massimo): 14mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di canale: N. ID (min): 6mA. Marcatura sulla cassa: K246BL. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Voltaggio gate/source Vgs: -30V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 6V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: transistor complementare (coppia) 2SJ103

Transistor a canale N, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 650 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Id(imp): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 63 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2507. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (L2-TT-MOSV). Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: sì