Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640

Transistor a canale N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640
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2 - 2 8.52€ 10.39€
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10 - 19 7.89€ 9.63€
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Transistor a canale N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640. Transistor a canale N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.73 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 950pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2640. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Prodotto originale del produttore Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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STF11NM60ND

STF11NM60ND

Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. I...
STF11NM60ND
Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V
STF11NM60ND
Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V
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Nota: SAMSUNG BN81-05371A. Numero di terminali: 6. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
STRW6252
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STRW6252
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FDP3652

FDP3652

Transistor a canale N, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 43A. ID (...
FDP3652
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ICE3BR1065JF

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Funzione: Cella di avvio (modalità jitter di frequenza) in FullPak . Nota: OFF-LINE, Rds(on) 1.0 O...
ICE3BR1065JF
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MDF11N60TH

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Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T...
MDF11N60TH
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FAN7530M

Funzione: Controller PFC. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: component...
FAN7530M
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FAN7530M
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IRFP140

IRFP140

Transistor a canale N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 22A. ID (...
IRFP140
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IRFP140
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Transistor a canale N, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25...
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Quantità in magazzino : 230
RSF1WS-0R15

RSF1WS-0R15

Resistenza, 0.15 Ohms, 1W. Resistenza: 0.15 Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: strato metallico. ...
RSF1WS-0R15
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Quantità in magazzino : 218
MBR10150CT

MBR10150CT

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnic...
MBR10150CT
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MBR10150CT
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