Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2625LS

Transistor a canale N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2625LS
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 5.97€ 7.28€
2 - 2 5.67€ 6.92€
3 - 4 5.49€ 6.70€
5 - 9 5.37€ 6.55€
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1 - 1 5.97€ 7.28€
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Transistor a canale N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2625LS. Transistor a canale N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 700pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 16A. Marcatura sulla cassa: K2625. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Prodotto originale del produttore Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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FQPF5N60C

FQPF5N60C

Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T...
FQPF5N60C
Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
FQPF5N60C
Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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SSS7N60A

SSS7N60A

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (...
SSS7N60A
Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 415 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 28A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V
SSS7N60A
Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 415 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 28A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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MBR10150CT
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SG6859ATZ
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2PG001
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