FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 220pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 4A. Marcatura sulla cassa: K2538. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power F-MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 4A, 8A, 8A, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MOS (TT.MOSV)

Transistor a canale N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: sì. Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K2545. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1800pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Protezione GS: sì. Id(imp): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 9A, 9A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII)

Transistor a canale N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2040pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1.6us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Protezione GS: sì. Id(imp): 27A. Marcatura sulla cassa: K2611. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 150pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor ad effetto di campo. Protezione GS: soppressore. Id(imp): 6A. Marcatura sulla cassa: ZA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 700pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 16A. Marcatura sulla cassa: K2625. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 1mV. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI-LS. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 550pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Diodo al germanio: NINCS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 5.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.73 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 950pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2640. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 900pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: K2645. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.19 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 450pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Id(imp): 16A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 780pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed Switching, Zener-Protected. Protezione GS: sì. Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: K2662. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo (TT-MOS V). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): na. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 10A. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V

Transistor a canale N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Protezione GS: sì. Id(imp): 48A. Marcatura sulla cassa: K2699. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 750pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì. Id(imp): 9A. Marcatura sulla cassa: K2700. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. ID (T=25°C): 2A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 2A. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 280pF. Costo): 58pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 6A. Marcatura sulla cassa: K2715. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì. Id(imp): 15A. Marcatura sulla cassa: K2717. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 28m Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 830pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Protezione GS: sì. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: Transistor di potenza ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protezione GS: sì. Id(imp): 14A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K2750. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1100pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 36A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V

Transistor a canale N, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 700V. C(in): 1850pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 2.5us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Protezione GS: sì. Id(imp): 48A. ID (min): na. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET a canale N. Potenza: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V

Transistor a canale N, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2040pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Protezione GS: sì. Id(imp): 48A. ID (min): na. Marcatura sulla cassa: K2842. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 58 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Protezione GS: sì. Id(imp): 40A. ID (min): na. Marcatura sulla cassa: K2843. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 58 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V