FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 550pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1.3us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOSFET di commutazione POWER, uso industriale. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2.5V

Transistor a canale N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore della modalità di commutazione, convertitore DC-DC, driver del motore. Protezione GS: sì. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS-V. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F-3L. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 650pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 2us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. ID (min): 0.1uA. Equivalenti: FS5KM-10-AW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 7A. Rds sulla resistenza attiva: 1.62 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Id(imp): 28A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET

Transistor a canale N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 0.75us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 25uA. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. ID (T=25°C): 21A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 2280pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 0.7us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 84A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: sì. Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI)

Transistor a canale N, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: sì. Id(imp): 48A. Marcatura sulla cassa: K3568. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Ids: 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: sì. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 125 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV)

Transistor a canale N, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.31 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 430pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 14.8A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3699. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V

Transistor a canale N, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SC-67 ). Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: sì. Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K3799. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1.4us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 27A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K3878. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 65 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1350 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: K3911. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 92A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2400pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 52A. Marcatura sulla cassa: K4012. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOS VI). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1400pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 18A. Marcatura sulla cassa: K4013 Q. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (U-MOS III)

Transistor a canale N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3400pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 80A. ID (min): n/a. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 280 ns. Td(acceso): 130 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (MOS VI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale N, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: V-MOS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W

Transistor a canale N, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 2.5 Ohms. Voltaggio Vds(max): 850V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W

Transistor a canale N, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Nota: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 900pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 12A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: Samsung B4054-0018. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (massimo): 0.6A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Azionamento a relè, azionamento a motore. Id(imp): 1.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor a canale N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET