Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176

Transistor a canale N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176
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Transistor a canale N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176. Transistor a canale N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore della modalità di commutazione, convertitore DC-DC, driver del motore. Protezione GS: sì. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS-V. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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IRFP250N

IRFP250N

Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (...
IRFP250N
Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2159pF. Costo): 315pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 186 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2159pF. Costo): 315pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 186 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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SN65HVD3082ED

SN65HVD3082ED

Nota: Low Quiescent Power 0.3mA Active Mode. Nota: corrente di standby 1nA. Nota: Protezione antista...
SN65HVD3082ED
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SN65HVD3082ED
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Transistor a canale N, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T...
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KBL06

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