Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956

Transistor a canale N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956
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Transistor a canale N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956. Transistor a canale N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Prodotto originale del produttore Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 05:25.

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Transistor a canale N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C)...
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Transistor a canale N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2150pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 730 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA10N80C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V
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