Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V - 2SK3199

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V - 2SK3199
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2 - 2 5.83€ 7.11€
3 - 4 5.52€ 6.73€
5 - 9 5.22€ 6.37€
10 - 19 5.09€ 6.21€
20 - 29 4.97€ 6.06€
30+ 4.79€ 5.84€
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Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V - 2SK3199. Transistor a canale N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F-3L. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 650pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 2us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. ID (min): 0.1uA. Equivalenti: FS5KM-10-AW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

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FQPF5N60C

Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T...
FQPF5N60C
Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS
FQPF5N60C
Transistor a canale N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS
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