FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 7400pF. Costo): 1000pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 620 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 176A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 450W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v

Transistor a canale N. Quantità per scatola: 1. Nota: TU

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V

Transistor a canale N, 80mA, TO-92, TO-92, 39V. Idss (massimo): 80mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 39V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: AM/FM/VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 30mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 14.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.6V

Transistor a canale N, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (massimo): 13mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: per amplificatori RF VHF/UHF. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 0.5V

Transistor a canale N, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (massimo): 18mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: per amplificatori RF VHF/UHF. ID (min): 11mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 0.5V

Transistor a canale N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 6.5mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 20*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.2V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 21*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V

Transistor a canale N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 22*. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V

Transistor a canale N, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 18mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 18V. C(in): 3pF. Costo): 1.2pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. Protezione GS: sì. ID (min): 2mA. Marcatura sulla cassa: M90. Numero di terminali: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET

Transistor a canale N, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 4mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 2.3pF. Costo): 0.8pF. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 2mA. Nota: serigrafia/codice SMD MH. Marcatura sulla cassa: MH. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Transistor a canale N, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio Vds(max): 12V. C(in): 2.1pF. Costo): 1.1pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni VHF e UHF con tensione di alimentazione 12V. Protezione GS: NINCS. ID (min): 5mA. Marcatura sulla cassa: MOS. Numero di terminali: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25V, 5mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M2. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 2A. Marcatura sulla cassa: BS107. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 250mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 6.4 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 60pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 500mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Alloggiamento: TO-92. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (massimo): 10nA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. C(in): 24pF. Costo): 40pF. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1.2A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: BS170. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, Piccoli segnali. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-92, 60V, 0.3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS170_D27Z. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 24pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.83W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, Altro, Altro, 600V. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Numero di terminali: 24. Dimensioni: 107.5x45x17mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Spec info: 7x IGBT. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 250 ns. Td(acceso): 50 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V

Transistor a canale N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Voltaggio Vds(max): 50V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Nota: 5ns...20ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tecnologia: D-MOS Log.L

Transistor a canale N, 60V, SOT23. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 60V. Alloggiamento: SOT23. Polarità: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 265mA. Tensione gate/source Vgs max: 20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.31W. Tipo di montaggio: SMD. MSL: 1

Transistor a canale N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 250pF. Costo): 88pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 24A. ID (min): 10nA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.8V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 200V, 0.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP297. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 27pF. Costo): 13pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 0.88A. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. RoHS: sì. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V

Transistor a canale N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 50pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 1A. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Peso: 0.008g. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.5V

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C