FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SC-67 ). Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K3799. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 96pF. Costo): 29pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 2.8A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K3850. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 9 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1.4us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 27A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K3878. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 65 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1350 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: K3911. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 92A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 2400pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 52A. Marcatura sulla cassa: K4012. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 70 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOS VI). Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1400pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 18A. Marcatura sulla cassa: K4013 Q. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 80 ns. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (U-MOS III)

Transistor a canale N, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.2m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 2900pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta corrente. Id(imp): 180A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K4075. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 18 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Tecnologia: MOSFET DI POTENZA, transistor ad effetto di campo. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3400pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 80A. ID (min): n/a. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 280 ns. Td(acceso): 130 ns. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (MOS VI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: V-MOS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W

Transistor a canale N, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Rds sulla resistenza attiva: 2.5 Ohms. Voltaggio Vds(max): 850V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W

Transistor a canale N, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tecnologia: V-MOS. Nota: (F)

Transistor a canale N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 900pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Id(imp): 12A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (massimo): 0.6A. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Azionamento a relè, azionamento a motore

Transistor a canale N, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25A. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET

Transistor a canale N, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SSFP. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 7pF. Costo): 5.9pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.3V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-343, 12.5V, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-343. Tensione drain-source Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1V. Capacità del gate Ciss [pF]: 2pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

Transistor a canale N, 0.035 Ohms, TO-247AC, 1200V. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source (Vds): 1200V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 52A. Potenza: 228W. Diodo incorporato: sì

Transistor a canale N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08P20V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 5.7A. Rds sulla resistenza attiva: 22m Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 630pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 16.8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 25A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21.5 ns. Td(acceso): 3.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 23.4m Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 621pF. Costo): 118pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15.1 ns. Td(acceso): 4.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 4.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. C(in): 520pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS