Transistor a canale N, Altro, Altro, 600V - BSM30GP60

Transistor a canale N, Altro, Altro, 600V - BSM30GP60. Transistor a canale N, Altro, Altro, 600V. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Numero di terminali: 24. Dimensioni: 107.5x45x17mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Spec info: 7x IGBT. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 250 ns. Td(acceso): 50 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Prodotto originale del produttore Eupec/infineon. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.