Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 0.34€ | 0.41€ |
2 - 2 | 0.33€ | 0.40€ |
3 - 4 | 0.31€ | 0.38€ |
5 - 9 | 0.29€ | 0.35€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.26€ | 0.32€ |
50 - 3428 | 0.24€ | 0.29€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.34€ | 0.41€ |
2 - 2 | 0.33€ | 0.40€ |
3 - 4 | 0.31€ | 0.38€ |
5 - 9 | 0.29€ | 0.35€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.26€ | 0.32€ |
50 - 3428 | 0.24€ | 0.29€ |
Transistor a canale N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS138. Transistor a canale N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 27pF. Costo): 13pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Marcatura sulla cassa: SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 23:25.
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